The ambipolar transport behavior of WSe2 transistors and its analogue circuits
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Ambipolar MoTe2 transistors and their applications in logic circuits.
We report ambipolar charge transport in α-molybdenum ditelluride (MoTe2 ) flakes, whereby the temperature dependence of the electrical characteristics was systematically analyzed. The ambipolarity of the charge transport originated from the formation of Schottky barriers at the metal/MoTe2 contacts. The Schottky barrier heights as well as the current on/off ratio could be modified by modulating...
متن کاملReconfigurable Complementary Logic Circuits with Ambipolar Organic Transistors
Ambipolar organic electronics offer great potential for simple and low-cost fabrication of complementary logic circuits on large-area and mechanically flexible substrates. Ambipolar transistors are ideal candidates for the simple and low-cost development of complementary logic circuits since they can operate as n-type and p-type transistors. Nevertheless, the experimental demonstration of ambip...
متن کاملthe survey of the virtual higher education in iran and the ways of its development and improvement
این پژوهش با هدف "بررسی وضعیت موجود آموزش عالی مجازی در ایران و راههای توسعه و ارتقای آن " و با روش توصیفی-تحلیلی و پیمایشی صورت پذیرفته است. بررسی اسنادو مدارک موجود در زمینه آموزش مجازی نشان داد تعداد دانشجویان و مقاطع تحصیلی و رشته محل های دوره های الکترونیکی چندان مطلوب نبوده و از نظر کیفی نیز وضعیت شاخص خدمات آموزشی اساتید و وضعیت شبکه اینترنت در محیط آموزش مجازی نامطلوب است.
the study of practical and theoretical foundation of credit risk and its coverage
پس از بررسی هر کدام از فاکتورهای نوع صنعت, نوع ضمانت نامه, نرخ بهره , نرخ تورم, ریسک اعتباری کشورها, کارمزد, ریکاوری, gdp, پوشش و وثیقه بر ریسک اعتباری صندوق ضمانت صادرات ایران مشخص گردید که همه فاکتورها به استثنای ریسک اعتباری کشورها و کارمزد بقیه فاکتورها رابطه معناداری با ریسک اعتباری دارند در ضمن نرخ بهره , نرخ تورم, ریکاوری, و نوع صنعت و ریسک کشورها اثر عکس روی ریسک اعتباری داردو پوشش, وثی...
15 صفحه اولSelective remanent ambipolar charge transport in polymeric field-effect transistors for high-performance logic circuits fabricated in ambient.
Ambipolar polymeric field-effect transistors can be programmed into a p- or n-type mode by using the remanent polarization of a ferroelectric gate insulator. Due to the remanent polarity, the device architecture is suited as a building block in complementary logic circuits and in CMOS-compatible memory cells for non-destructive read-out operations.
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: NPG Asia Materials
سال: 2018
ISSN: 1884-4049,1884-4057
DOI: 10.1038/s41427-018-0062-1